Перегляд за автором "Михащук, Ю.С."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів 
    Круковський, С.І.; Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Мрихін, І.О.; Михащук, Ю.С. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)
    Методом рідинно-фазної епітаксії вирощено подвійні гетеропереходи p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP і з’ясовано взаємозв’язок між технологічними режимами вирощування та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку як ...
  • Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии 
    Вакив, Н.М.; Круковский, С.И.; Сукач, А.В.; Тетёркин, В.В.; Мрыхин, И.А.; Михащук, Ю.С.; Круковский, Р.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Получены эпитаксиальные гетероструктуры р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых металлургическая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием дополнительного буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания ...
  • Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP 
    Круковський, C.I.; Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Мрихін, І.О.; Михащук, Ю.С. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012)
    Розглянуто вплив технологічних режимів вирощування подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP методом РФЕ на їх фотоелектричні властивост і. Показано, що вирощування додаткового буферного шару n-InP на шарі n-InGaAsP, ...